等離子清洗機處理SnO2薄膜晶體管

等離子清洗機主要功能有清洗、刻蝕以及表面處理，可以實現低成本環保運行。研究發現氧等離子體處理可以顯著抑制氧空位并有效調控TFT的電學性能。

實驗發現TFT的電流調制能力可以通過改變氧等離子體的功率和處理時間進行調節。

氧等離子體處理的SnO₂薄膜晶體管的制備

1.氧化錫有源層的制備

先將硅（Si）片順次用氫氟酸、丙酮、酒 精進行超聲清洗，再用去離子水沖洗，最后使用高純氮氣槍吹干。

為了增強襯底的 親水性，將Si襯底置于等離子清洗機中清洗，然后將Si襯底放在管式爐中，在一定的氧氣流量下進行熱退火處理。

對襯底進行等離子清洗，增加其親水性。

2.薄膜后處理---氧等離子體處理

將沉積在襯底上熱退火后的SnO₂薄膜放置于等離子體清洗機中。打開氧氣，在控制面板設定好時間及功率進OPT處理，分別處理不同時間和功率。

                     PLUTO-M等離子清洗機

等離子源頻率13.56MHz（射頻電源），同時具備物理清洗和化學清洗。

創新設計，可調整電極之間距離，調整等離子體強度和密度，極大提升處理能力和效率。

PLUTO-M等離子清洗機的真空腔體由316不銹鋼制造，經過真空度檢漏測試，保壓性能優異！

電極有孔設計，可以使等離子體的濃度和強度增加，設備處理樣品更高效;

樣品處理面積可達125X125mm（最大處理面積可達200mm）

如有其它需求請詳詢銷售人員。

結論

通過溶液法制備SnO₂薄膜作為溝道層集成 TFT。制備的SnO₂-TFT處于耗盡型工作狀態且關態電流較大，但引入了熱退火后OPT處理半導體層明顯改善了SnO₂-TFT的電學性能。

研究對比了OPT處理不同時間和功率對電學性能的影響，發現隨著處理時間的增加，SnO₂晶體管的載流子濃度下降，閾值電壓不斷正向偏移， 開關比增加，關態電流明顯減小。